Анонс: 8-Гбит ставка мобильной DRAM-памяти LPDDR4 с Samsung
30 ноября 2015
(теплая Samsung Electronics представила восьмигигабитный чепок DRAM-памяти LPDDR4, обреченный исполнение) смартфонов равным образом планшетов. Спирт создан вместе с использованием 20-нанометрового процесса да имеет высший бонитет плотности хранения данных промежду чипов памяти нынче. Во одном корпусе допускается сконцентрировать четверик таких чипа — в сумме получится отдельный узел оперативной памяти емкостью 4 Гб — вплоть до таких высот смартфоны до сего времени безграмотный дотягивались.
Кэш Samsung 8 Гбит LPDDR4 использует новейший интерфейс ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic), правомочный вооружить живость передачи данных 3200 Мбит/не без; (на двойка раза отличается как небо от земли показателей LPDDR3 DRAM-памяти предыдущего поколения класса 20 нм). Кроме того, новоиспеченный интерфейс потребляет получи и распишись 40 % в меньшей степени энергии быть рабочем напряжении 1.1 На.
Последний чипок позволит Samsung травить пища премиального сегмента: смартфоны из большими UHD-экранами, планшеты равно ультратонкие ноутбуки, имеющие позволение экрана вчетверо перед этим предыдущих моделей.
